ist der Benchmark:

Prozesskammerreinigung

„State-of-the-art“ Halbleitertechnologie-Prozesse benötigen eine in situ Kammerreinigung, um den geforderten hohen Durchsatz für qualitativ hochwertige und zuverlässige Bauelemente zu erreichen.
Die an die Prozesskammer montierte „Remote-Plasmaquelle“ von R3T erzeugt aktivierte chemische Spezies, die für eine hocheffiziente Reinigung hervorragend geeignet sind.
Sehr niedrige Prozessdrücke von bis zu nur 0,3 Torr (40Pa) führen zu konkurrenzlos guten Resultaten insbesondere für Prozesskammern mit komplexer Geometrie.

Strippen von dicken, schwerentfernbaren Photolacken wie SU-8

Bei der Herstellung von mikromechanischen Bauteilen z.B. für die Uhrenindustrie werden zunehmend Verfahren eingesetzt, die auf einer Kombination von Phototechnik und galvanischer Abscheidung beruhen (sog. „LIGA“- Verfahren). Zur Erzeugung mehrerer Hundert Mikrometer hoher senkrechter Strukturen eignet sich besonders ein Photolack, der auf Epoxid Basis hergestellt wird, nämlich SU-8. Er besitzt allerdings den Nachteil, praktisch mit keiner Chemikalie entfernbar zu sein, ohne die frisch erzeugten Metallstrukturen selbst anzugreifen. Auch marktübliche Plasmaätzverfahren haben sich als untauglich erwiesen.

Mit der R3T Strippanlage STP 2020 ist es gelungen, Ätzraten von 20 µm/min für den SU-8 zu erreichen, unabhängig von der Vorbehandlung (hard bake Temperatur). Im batch-Betrieb mit mehreren gleichzeitig bearbeiteten 6“ Substraten werden Raten von 200 µm/h erreicht ohne Angriff auf die Metallstrukturen und ohne Schädigung durch Überhitzung. Damit steht zum ersten Mal ein Verfahren zur Verfügung, das eine sichere Entfernung des SU-8 Lackes erlaubt und damit dessen Einsatzmöglichkeiten stark erweitert.
Selbstverständlich können auch andere organische Materialien sowie Kunststoffe aller Art mit hoher Rate entfernt werden; dies gilt auch für Materialien, die anorganische Füllstoffe enthalten.
Folgender Artikel ist in der online Zeitschrift „wt Werkstattstechnik online“ erschienen: http://www.technikwissen.de/libary/common/wt/Mathuni.pdf

Ätzen von dünnen Si- Wafern - Stress Release

Nach dem Schleifen von Si- Wafern ist die Rückseite der Wafer geschädigt, was zu einer Verringerung der Bruchfestigkeit sowie zu einer Erhöhung der Durchbiegung (bow) infolge von Spannungen führt. Schon nach wenigen Sekunden Si- Abtrag durch das remote Mikrowellen- Plasma ist der vom Schleifen erzeugte Bow verschwunden. Durch Abtrag von wenigen µm Si kann eine Bruchfestigkeit ähnlich der der unbehandelten Si- Scheibe erreicht werden. Im Gegensatz zur nasschemischen Behandlung ist es mit dem remote Mikrowellen- Plasma auch möglich, die geschädigten Bereiche im Kerf zu entfernen sowie dünne Wafer im Sägerahmen „damage“ zu ätzen. Um eine gute Homogenität der Ätzung bei gleichzeitig hoher Ätzrate zu gewährleisten, werden in der SAN 1010 Silizium Ätzanlage die Fluor- Radikale mit einem rotierenden Strahl gleichmäßig über den Si- Wafer verteilt.

Isotropes Ätzen

Das isotrope Trockenätzen ist verglichen mit nasschemischen Prozessen ein deutlich leistungsfähigeres Verfahren, vor allem in Hinblick auf Prozessgüte, „Cost of Ownership“ und Umweltverträglichkeit. Insbesondere ist es möglich, hohe Ätzraten zu erreichen, ohne die Oberfläche in irgendeiner Weise zu schädigen.
Dabei sind für Silizium Ätzraten bis zu 90µm/min erreicht worden (ohne messbaren Fotolackabtrag für Stufen bis zu 400µm).

Abscheidung

„Remote Plasma enhanced CVD“ (Remote-PECVD) und „Atomic Layer Deposition“ (ALD) Prozesse eröffnen völlig neue Möglichkeiten in der Abscheidung von ultradünnen Schichten.
Dabei sind Abscheide-Temperaturen bis zu 100°C realisierbar.
Niedertemperatur-Polymer-Abscheidung und -Modifizierung sind weitere Anwendungszweige mit wachsender Bedeutung in der Optik und Medizintechnik.
Mit dem gleichen Verfahren lassen sich dünne, hochdichte Schutzschichten abscheiden.

Oberflächenbehandlung

Aktivierter Stickstoff wird für die Nitridierung von Oberflächen verwendet, um eine stabile Diffusionsbarriere bei niedriger Temperatur zu erzeugen.
Aktivierter Wasserstoff entfernt das natürliche Oxid bei niedrigen Temperaturen. Hochwertige Abscheideprozesse, wie z.B. SiGe Epitaxie werden dadurch möglich.
Die Eigenschaften von Kunststoffoberflächen werden mit Hilfe von Radikalen verändert.
Einerseits können in Sekunden hydrophile Oberflächen erzeugt werden (Kontaktwinkel < 5°); die so behandelten Flächen können jetzt bedruckt, verklebt und lackiert werden. Andererseits können hydrophobe Oberflächen erzeugt werden mit einem Kontaktwinkel größer 110°. Damit eröffnet sich ein großer Anwendungsbereich in der chemischen und medizinischen Industrie.
Die so behandelten Oberflächen können jetzt bedruckt, verklebt und lackiert werden.
Damit eröffnet sich ein großer Anwendungsbereich in der chemischen und medizinischen Industrie.
Der Einsatz des R3T Radikalgenerators ist äußerst umweltfreundlich:
Der Einsatz des R3T Radikalgenerators ist äußerst umweltfreundlich: